НИИЭТ вошел в реестр дизайн-центров России - «Смартфоны» » Новости Электроники.
НИИЭТ вошел в реестр дизайн-центров России - «Смартфоны»
АО «НИИЭТ» получил официальный документ, подтверждающий, что предприятие включено в реестр отечественных дизайн-центров. Мы официально стали дизайн-центром, удовлетворяющим условиям для включения в соответствующий реестр. Теперь у нас должен появиться доступ к различным льготам и мерам поддержки от

НИИЭТ вошел в реестр дизайн-центров России - «Смартфоны»


АО «НИИЭТ» получил официальный документ, подтверждающий, что предприятие включено в реестр отечественных дизайн-центров.



Мы официально стали дизайн-центром, удовлетворяющим условиям для включения в соответствующий реестр. Теперь у нас должен появиться доступ к различным льготам и мерам поддержки от государства, созданных для такого рода площадок, — отметил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин.



На предприятии в данный момент проводится разработка серии ультранизкопотребляющих микроконтроллеров обладающих широким функционалом, процессорным ядром открытой архитектуры RISC-V. Изделие будет первым в России микроконтроллером такого класса и одним из первых в мире ультранизкопотребляющим контроллером на данной архитектуре. Планируется, что цена микроконтроллеров  будет составлять около 200 рублей за штуку при заказе от 100 000 единиц.


По результатам анализа рынка и предварительным переговорам с потенциальными потребителями ожидается большой спрос на разрабатываемые микроконтроллеры, обусловленный тем, что сейчас на первое место выходят вопросы энергопотребления, связанные с  ростом популярности приложений, с батарейным питанием и возможностью широкого внедрения беспроводной связи.


Кроме того,  в разработке сейчас также транзисторы для цифровых телевизионных передатчиков. Их производство позволит закрыть потребность отечественного рынка в ЭКБ для цифрового телевидения. Реализованные на их основе в рамках сквозного проекта отечественные телевизионные передатчики позволят заменить парк устаревших цифровых телевизионных передатчиков иностранного производства, тем самым обеспечив техническую независимость в столь чувствительной сфере, решить сложные вопросы сервиса и ремонта, связанные с эксплуатацией импортного оборудования российской телерадиовещательной сети, повысить надежность радиоаппаратуры цифрового ТВ-вещания. Выходная мощность данных транзисторов составит в пике огибающей 140Вт и 1000 Вт при напряжении питания 50В в диапазоне частот 400-860 МГц.



Мы планируем получить субсидии от государства на выполнение этих проектов. которые покроют 90% расходов на их реализацию, — добавил Игорь Семейкин.



Разработка данных изделий будет завершена в течение двух лет.


 


 


Источник: Пресс-служба АО «НИИЭТ»


 


{full-story limit="10000"}
Ctrl
Enter
Заметили ошЫбку?
Выделите текст и нажмите Ctrl+Enter
Мы в
Комментарии
Минимальная длина комментария - 50 знаков. комментарии модерируются
Комментариев еще нет. Вы можете стать первым!